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电子元器件详细资料 » IC[27098] » SI4214DDY-T1-GE3
型号:SI4214DDY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C19.5 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs22nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds660pF @ 15V
功率_最大3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司刘18674491576
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SI4214DDY-T1-GE3相关型号

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